Der Leistungs-MOSFET der Serie 650 VE von Vishay Intertechnology bietet die branchenweit niedrigsten RDS(ON)*Qg- und RDS(ON)*Co(er)-FOMs

Das Gerät der vierten Generation ermöglicht hohe Nennleistungen und Dichten und senkt gleichzeitig die Leitungs- und Schaltverluste, um die Effizienz zu steigern

MALVERN, Pennsylvania, 28. August 2023 (GLOBE NEWSWIRE) – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) stellte heute einen neuen Leistungs-MOSFET der vierten Generation der 650 VE-Serie vor, der eine hohe Effizienz und Leistungsdichte für Telekommunikation, Industrie, und Computeranwendungen. Im Vergleich zu Geräten der vorherigen Generation reduziert der n-Kanal SiHP054N65E von Vishay Siliconix den Einschaltwiderstand um 48,2 % und bietet gleichzeitig einen um 59 % geringeren Widerstand mal Gate-Ladung, eine wichtige Kennzahl (FOM) für 650-V-MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsanwendungen verwendet werden.

Vishay bietet eine breite Palette an MOSFET-Technologien, die alle Phasen des Stromumwandlungsprozesses unterstützen, von Hochspannungseingängen bis hin zu Niederspannungsausgängen, die für die Stromversorgung modernster High-Tech-Geräte erforderlich sind. Mit dem SiHP054N65E und anderen Geräten der 650 VE-Serienfamilie der vierten Generation geht das Unternehmen auf den Bedarf an Effizienz- und Leistungsdichteverbesserungen in zwei der ersten Phasen der Stromversorgungssystemarchitektur ein – Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und anschließende DC/ DC-Wandlerblöcke. Zu den typischen Anwendungen gehören Server, Edge-Computing und Datenspeicherung. UPS; Hochdruckentladungslampen (HID) und Leuchtstofflampen mit Vorschaltgeräten; Solarwechselrichter; Schweißgeräte; Induktionsheizung; Motorantriebe; und Batterieladegeräte.

Basierend auf der neuesten energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie von Vishay führt der niedrige typische Einschaltwiderstand des SiHP054N65E von 0,051 Ω bei 10 V zu einer höheren Nennleistung für Anwendungen > 2 kW und ermöglicht es dem Gerät, das Open Rack V3 des Open Compute Project zu adressieren ( ORV3)-Standards. Darüber hinaus bietet der MOSFET eine extrem niedrige Gate-Ladung bis hinunter zu 72 nC. Die resultierende FOM von 3,67 Ω*nC ist 1,1 % niedriger als die des nächstkonkurrierenden MOSFET derselben Klasse, was sich in geringeren Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, um Energie zu sparen und die Effizienz zu steigern. Dadurch kann das Gerät die spezifischen Titan-Effizienzanforderungen in Server-Netzteilen erfüllen oder einen Spitzenwirkungsgrad von 96 % in Telekommunikations-Netzteilen erreichen.

Für eine verbesserte Schaltleistung in hart geschalteten Topologien wie PFC-, Halbbrücken- und Zwei-Schalter-Vorwärtsdesigns bietet der heute veröffentlichte MOSFET niedrige typische effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 115 pF und 772 pF. jeweils. Die resultierenden Widerstandszeiten Co(er) FOM des Geräts betragen branchenweit niedrige 5,87 Ω*pF. Der SiHP054N65E wird im TO-220AB-Gehäuse angeboten und bietet erhöhte dV/dt-Robustheit. Er ist RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green und ist so konzipiert, dass er Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100 % UIS-Tests standhält.

Muster und Produktionsstückzahlen des SiHP054N65E sind ab sofort verfügbar. Für Informationen zur Lieferzeit wenden Sie sich bitte an Ihr lokales Vertriebsbüro.

Vishay stellt eines der weltweit größten Portfolios an diskreten Halbleitern und passiven elektronischen Komponenten her, die für innovative Designs in den Märkten Automobil, Industrie, Computer, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin unerlässlich sind. Vishay bedient Kunden weltweitDie DNA der Technik. ® Vishay Intertechnology, Inc. ist ein an der NYSE (VSH) notiertes Fortune-1.000-Unternehmen. Mehr über Vishay unter www.Vishay.com.

Die DNA der Technik® ist eine eingetragene Marke von Vishay Intertechnology.

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